Home > Ebook > Non fiction > Power gan devices

	Power GaN Devices (eBook)

	Power GaN Devices (eBook)



	Prezzo: € 159,11 Compra EPUB		Prezzo: € 159,11 Compra EPUB

	Formato :	EPUB

	Cloud:	Sì Scopri di più



	Lingua:	en
	Curatore:	Meneghesso Gaudenzio; Meneghini Matteo; Zanoni Enrico

	Editore:	Springer
	Collana:	Power Electronics and Power Systems
Codice EAN:	9783319431994
Anno pubblicazione:	2016
Scopri QUI come leggere i tuoi eBook
	Note legali NOTE LEGALI a) Garanzia legale, Pagamenti, Consegne, Diritto di recesso b) Informazioni sul prezzo Il prezzo barrato corrisponde al prezzo di vendita al pubblico al lordo di IVA e al netto delle spese di spedizione Il prezzo barrato dei libri italiani corrisponde al prezzo di copertina. I libri in inglese di Libraccio sono di provenienza americana o inglese. Libraccio riceve quotidianamente i prodotti dagli USA e dalla Gran Bretagna, pagandone i costi di importazione, spedizione in Italia ecc. Il prezzo in EURO è fissato da Libraccio e, in alcuni casi, può discostarsi leggermente dal cambio dollaro/euro o sterlina/euro del giorno. Il prezzo che pagherai sarà quello in EURO al momento della conferma dell'ordine. In ogni caso potrai verificare la convenienza dei nostri prezzi rispetto ad altri siti italiani e, in moltissimi casi, anche rispetto all'acquisto su siti americani o inglesi. c) Disponibilità I termini relativi alla disponibilità dei prodotti sono indicati nelle Condizioni generali di vendita. Disponibilità immediata L'articolo è immediatamente disponibile presso Libraccio e saremo in grado di procedere con la spedizione entro un giorno lavorativo. Nota: La disponibilità prevista fa riferimento a singole disponibilità. Disponibile in giorni o settimane (ad es. "3-5-10 giorni", "4-5 settimane" ) L'articolo sarà disponibile entro le tempistiche indicate, necessarie per ricevere l'articolo dai nostri fornitori e preparare la spedizione. Nota: La disponibilità prevista fa riferimento a singole disponibilità. Prenotazione libri scolastici Il servizio ti permette di prenotare libri scolastici nuovi che risultano non disponibili al momento dell'acquisto. Attualmente non disponibile L'articolo sarà disponibile ma non sappiamo ancora quando. Inserisci la tua mail dalla scheda prodotto attivando il servizio Libraccio “avvisami” e sarai contattato quando sarà ordinabile. Difficile reperibilità Abbiamo dei problemi nel reperire il prodotto. Il fornitore non ci dà informazioni sulla sua reperibilità, ma se desideri comunque effettuare l'ordine, cercheremo di averlo nei tempi indicati. Se non sarà possibile, ti avvertiremo via e-mail e l'ordine verrà cancellato. Chiudi
Descrizione This book presents the first comprehensive overview of the properties and fabrication methods of GaN-based power transistors, with contributions from the most active research groups in the field. It describes how gallium nitride has emerged as an excellent material for the fabrication of power transistors; thanks to the high energy gap, high breakdown field, and saturation velocity of GaN, these devices can reach breakdown voltages beyond the kV range, and very high switching frequencies, thus being suitable for application in power conversion systems. Based on GaN, switching-mode power converters with efficiency in excess of 99 % have been already demonstrated, thus clearing the way for massive adoption of GaN transistors in the power conversion market. This is expected to have important advantages at both the environmental and economic level, since power conversion losses account for 10 % of global electricity consumption. The first part of the book describes the properties and advantages of gallium nitride compared to conventional semiconductor materials. The second part of the book describes the techniques used for device fabrication, and the methods for GaN-on-Silicon mass production. Specific attention is paid to the three most advanced device structures: lateral transistors, vertical power devices, and nanowire-based HEMTs. Other relevant topics covered by the book are the strategies for normally-off operation, and the problems related to device reliability. The last chapter reviews the switching characteristics of GaN HEMTs based on a systems level approach. This book is a unique reference for people working in the materials, device and power electronics fields; it provides interdisciplinary information on material growth, device fabrication, reliability issues and circuit-level switching investigation.

Seguici su: Come contattarci: +39 02 91435530 Tutti i contatti

Pagamenti Help Privacy Cookie policy Assistenza clienti Affiliazione

Condizioni generali di vendita Condizioni d'uso del sito Dichiarazione di Accessibilità

Informativa sulla garanzia legale di conformità Informativa sul diritto di recesso Informativa sul RAEE

o con la tua email

Dimenticato la password?

Questa casella indica che ho letto e accettato le condizioni d’uso di libraccio.it, le condizioni generali di vendita e l'informativa privacy. In mancanza, non è possibile attivare un account e/o ricevere i servizi di Libraccio.

Power GaN Devices (eBook)

Power GaN Devices (eBook)

NOTE LEGALI

a) Garanzia legale, Pagamenti, Consegne, Diritto di recesso

b) Informazioni sul prezzo

c) Disponibilità

Descrizione

Accedi a Libraccio.it

Nuovo Cliente?

Prosegui come ospite