Introduction to Magnetic Random-Access Memory (eBook)

Introduction to Magnetic Random-Access Memory (eBook)

B. Goldfarb RonaldLee Kyung-JinDieny Bernard
B. Goldfarb RonaldLee Kyung-JinDieny Bernard
Prezzo:
€ 109,99
Compra EPUB
Prezzo:
€ 109,99
Compra EPUB

Formato

:
EPUB
Cloud: Scopri di più
Lingua: en
Editore: Wiley-IEEE Press
Codice EAN: 9781119079446
Anno pubblicazione: 2016
Scopri QUI come leggere i tuoi eBook

Note legali

NOTE LEGALI

a) Garanzia legale, Pagamenti, Consegne, Diritto di recesso
b) Informazioni sul prezzo
Il prezzo barrato corrisponde al prezzo di vendita al pubblico al lordo di IVA e al netto delle spese di spedizione
Il prezzo barrato dei libri italiani corrisponde al prezzo di copertina.
I libri in inglese di Libraccio sono di provenienza americana o inglese.
Libraccio riceve quotidianamente i prodotti dagli USA e dalla Gran Bretagna, pagandone i costi di importazione, spedizione in Italia ecc.
Il prezzo in EURO è fissato da Libraccio e, in alcuni casi, può discostarsi leggermente dal cambio dollaro/euro o sterlina/euro del giorno. Il prezzo che pagherai sarà quello in EURO al momento della conferma dell'ordine.
In ogni caso potrai verificare la convenienza dei nostri prezzi rispetto ad altri siti italiani e, in moltissimi casi, anche rispetto all'acquisto su siti americani o inglesi.
c) Disponibilità
I termini relativi alla disponibilità dei prodotti sono indicati nelle Condizioni generali di vendita.

Disponibilità immediata
L'articolo è immediatamente disponibile presso Libraccio e saremo in grado di procedere con la spedizione entro un giorno lavorativo.
Nota: La disponibilità prevista fa riferimento a singole disponibilità.

Disponibile in giorni o settimane (ad es. "3-5-10 giorni", "4-5 settimane" )
L'articolo sarà disponibile entro le tempistiche indicate, necessarie per ricevere l'articolo dai nostri fornitori e preparare la spedizione.
Nota: La disponibilità prevista fa riferimento a singole disponibilità.

Prenotazione libri scolastici
Il servizio ti permette di prenotare libri scolastici nuovi che risultano non disponibili al momento dell'acquisto.

Attualmente non disponibile
L'articolo sarà disponibile ma non sappiamo ancora quando. Inserisci la tua mail dalla scheda prodotto attivando il servizio Libraccio “avvisami” e sarai contattato quando sarà ordinabile.

Difficile reperibilità
Abbiamo dei problemi nel reperire il prodotto. Il fornitore non ci dà informazioni sulla sua reperibilità, ma se desideri comunque effettuare l'ordine, cercheremo di averlo nei tempi indicati. Se non sarà possibile, ti avvertiremo via e-mail e l'ordine verrà cancellato.
Chiudi

Descrizione

Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability. Although toggle-MRAM is currently a commercial product, it is clear that future developments in MRAM will be based on spin-transfer torque, which makes use of electrons’ spin angular momentum instead of their charge. MRAM will require an amalgamation of magnetics and microelectronics technologies. However, researchers and developers in magnetics and in microelectronics attend different technical conferences, publish in different journals, use different tools, and have different backgrounds in condensed-matter physics, electrical engineering, and materials science. This book is an introduction to MRAM for microelectronics engineers written by specialists in magnetic materials and devices. It presents the basic phenomena involved in MRAM, the materials and film stacks being used, the basic principles of the various types of MRAM (toggle and spin-transfer torque; magnetized in-plane or perpendicular-to-plane), the back-end magnetic technology, and recent developments toward logic-in-memory architectures. It helps bridge the cultural gap between the microelectronics and magnetics communities.